VISHAY
- Введение
- Новые изделия
Введение
VISHAY
Новые изделия
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Диод переключения SOT23 случая RoHS SOD123 быстрый 1N4148W-E3-08 |
Держатель v 150mA поверхностный SOD-123 диода 75
|
|
|
|
|
|
|
ДЕРН LL42-GS08 30V 200mA - 80 диодов Schottky сигнала |
Держатель v 200mA поверхностный SOD-80 MiniMELF диода 30
|
|
|
|
|
|
|
Напряжение тока VISHAY стойки- пиковой силы ИМПа ульс SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V держатель DO-214AA диода ТВ струбцины 2.2A Ipp поверхностный (SMBJ)
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 Ректификатор общего назначения с диодом P канала с 150 Вт через отверстие |
P-канал 200 v 12A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
Канал IRFP9240PBF Mosfet 12A 200V p силы TO-247 VISHAY |
P-канал 200 v 12A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
VO1400AEFTR Транзистор с эффектом поля Новый и оригинальный |
Полупроводниковое SPST-NO (1 форма a) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
|
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 30A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A Транзистор с эффектом поля |
Стандарт одиночной фазы выпрямителя по мостиковой схеме терминал D-34 QC 1,6 kV
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Новый и оригинальный запас |
Диод 100 В 10 А поверхностная установка TO-263AB (D2PAK)
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA25PB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 25A до отверстие TO-247AC доработал
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС TCMT1107 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Транзистор Optoisolator вывел наружу 3750Vrms 1 канал 4-SOP
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 1N5245B-TAP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Стабилитрон 15 v 500 mW ±5% до отверстие DO-35 (DO-204AH)
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SUD17N25-165-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 250 v 17A (Tc) 3W (животики), (Tc) держатель TO-252AA поверхности 136W
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Транзистор с эффектом поля |
Диодный массив 1 пара общая катода 100 V 30A через отверстие TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 100 v 19A (Tc) 150W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 200 v 11A (Tc) 3W (животики), (Tc) ² ПАК держателя d поверхности 125W (TO-263)
|
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF Транзистор с эффектом поля |
P-канал 200 v 6.5A (Tc) 74W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля VS-ETH1506S-M3 |
Держатель v 15A поверхностный TO-263AB диода 600 (² ПАК d)
|
|
|
|
|
|
|
VO0630T Транзистор с эффектом поля |
Оптоизолятор логического вывода 10MBd открытый отвод 4000Vrms 2 канал 1kV/μs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA25TB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 25A до отверстие TO-220AC
|
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET Чип-диод Новый и оригинальный запас |
Предварительный биполярный транзистор (BJT)
|
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 20A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRF830BPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 5.3A (Tc) 104W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС S3D-E3/57T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 3A поверхностный DO-214AB диода 200 (SMC)
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SI3456DDV-T1-GE3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 6.3A (Tc) 1.7W (животики), (Tc) держатель 6-TSOP поверхности 2.7W
|
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SUP85N03-04P-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 85A (Tc) 3.75W (животики), 166W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
|
|
|